Significant enhancement on creep resistance of the near stoichiometric SiC fibers by ultrafast Joule heating

通过超快焦耳加热显著增强近化学计量SiC纤维的抗蠕变性

Litipu Aihaiti, Shuxing Li, Dilare Halmurat, Jiajing Zhou, Siwei Li*, Rong-Jun Xie**

DOI: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2024.12.403

PDF原文

Ceramics International · 2024

厦门大学材料学院

论文亮点

研究背景

研究方法

  1. 材料:使用近化学计量SiC纤维(C3),氧含量0.8%,C/Si比1.07,密度3g/cm³,强度4.1GPa,杨氏模量336GPa
  2. 热处理:采用焦耳加热设备,在氮气气氛下对单根C3纤维进行不同温度(1900、2000、2100°C)和不同时间(5、15、30秒)的超快热处理
  3. 表征:使用场发射扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、能谱分析(EDS)和X射线衍射(XRD)对纤维的微观结构和组成进行分析
  4. 力学性能测试:
    • 采用改进的弯曲应力松弛(BSR)方法评估高温抗蠕变性能
    • 使用Instron型试验机测试单纤维的拉伸强度和弹性模量(标距25mm)

主要结论

结果与分析:原始C3纤维的形貌与组成

原始C3纤维的SEM图像和EDS分析
图1. 原始C3纤维的表面(a,b)和断裂形貌(c,d)SEM图像,以及EDS能谱分析(e)

原始C3纤维表面光滑致密,含有小颗粒,断裂面呈现典型的脆性特征。EDS分析检测到氧的存在。

结果与分析:1900°C热处理后的纤维形貌

1900°C热处理后C3纤维的SEM图像
图2. 1900°C不同时间热处理后C3纤维的表面(a-c)和断裂形貌(d-i)SEM图像,以及EDS分析(j,k)

1900°C热处理后,纤维表面产生岛状颗粒,随时间延长形成不连续的纤维皮层。EDS证实这些颗粒主要为SiC,通过气相反应机制形成。

结果与分析:2000°C热处理后的纤维形貌

2000°C热处理后C3纤维的SEM图像
图3. 2000°C不同时间热处理后C3纤维的表面(a-c)和断裂形貌(d-i)SEM图像,以及EDS分析(j)

2000°C热处理后,纤维表面形成孔隙而非小颗粒,同时从截面观察到纤维表面被皮层覆盖,形成核壳结构。皮层主要成分为碳,核部主要为SiC。

结果与分析:2100°C热处理后的纤维形貌与晶粒尺寸

2100°C热处理后C3纤维的SEM图像和晶粒尺寸分布
图4. 2100°C不同时间热处理后C3纤维的表面(a-c)和断裂形貌(d-i)SEM图像,以及晶粒尺寸分布(c-e)

2100°C热处理后,纤维表面形成多孔碳皮层,内部SiC晶粒尺寸随处理时间增加而增大:5秒-24.26nm,15秒-36.83nm,30秒-49.11nm。断裂形貌显示晶粒粗化和孔隙形成。

结果与分析:抗蠕变性能评估

C3纤维的弯曲应力松弛参数
图5. (a)热处理后C3纤维在1300°C蠕变1小时的弯曲应力松弛参数(m);(b)四种类型纤维在不同温度下蠕变1小时的弯曲应力松弛参数(m)
热处理温度(°C) 弯曲应力松弛比m(热处理时间)
0s 5s 15s 30s
1900 0.6518 0.7196 0.7295 0.7940
2000 0.6518 0.8411 0.8385 0.8377
2100 0.6518 0.8635 0.8555 0.8655

所有热处理样品均显示出更高的m值,表明抗蠕变性能增强。m值随退火温度升高而增加。2100°C处理15秒的C3纤维在所有测试温度下均表现出最佳的抗蠕变性能。

结果与分析:拉伸强度与XRD分析

C3纤维的拉伸强度和XRD图谱
图6. (a)2100°C不同时间热处理后C3纤维的拉伸强度;(b)C3纤维和2100°C处理15秒C3纤维的XRD图谱

纤维的拉伸强度随热处理时间延长而单调降低,5、15和30秒处理后的强度保持率分别为42.41%、37.73%和15.47%。XRD分析显示热处理后纤维的衍射峰强度增强,峰宽变窄,表明结晶度提高。

结果与分析:微观结构表征

2100°C处理15秒C3纤维的TEM图像和分析
图7. 2100°C处理15秒C3纤维的TEM图像(a)和EDS谱图(b,c),选区电子衍射(SAED)(d)和高分辨透射电镜(HRTM)(f)

2100°C处理15秒后,纤维表面形成孔隙,由表面SiCxOy和SiC相的分解和氧化引起。富碳区域由表面SiC晶粒分解和Si蒸发形成。SAED显示衍射环对应β-SiC的(111)、(220)和(311)晶面。

结果与分析:晶粒尺寸分布

2100°C处理15秒C3纤维的TEM截面图像和晶粒尺寸分布
图8. 2100°C处理15秒C3纤维的TEM截面图像(a)和三个区域的晶粒尺寸分布:(b)区域I,(c)区域II,(d)区域III

从表面到核心,SiC的平均晶粒尺寸分别为:区域I-37.08nm,区域II-40.70nm,区域III-35.68nm。中间区域晶粒尺寸最大,这与文献报道的表面晶粒最大的情况不同,可能是由于超快热处理下表面SiC晶粒分解速度远快于晶粒生长所致。