本研究采用溶液浸渍和超快碳热冲击法合成Mo₂C/MoS₂异质结构催化剂。具体步骤:
Fig. 1 (a) 超快加热合成Mo₂C/MoS₂-CP的示意图;(b) SEM图像;(c) TEM图像;(d) HRTEM图像显示异质界面;(e) FFT模式(上: Mo₂C, 下: MoS₂);(f) HAADF-STEM图像和元素映射。
分析结果: HRTEM图像显示MoS₂纳米片边缘形成Mo₂C和MoS₂的异质界面,晶格间距0.25 nm对应MoS₂的(102)面,0.235 nm对应Mo₂C的(200)面。元素映射显示C、S和Mo均匀分布,证实异质结构的成功构建。
Fig. 2 (a) Mo₂C-CP、MoS₂-CP和Mo₂C/MoS₂-CP的XRD图谱;(b) XPS survey spectra;(c) C 1s光谱;(d) Mo 3d光谱。
分析结果: XRD图谱显示Mo₂C/MoS₂-CP中同时存在MoS₂和Mo₂C的衍射峰,证实异质结构形成。XPS分析显示C 1s光谱中Mo-C键的存在,且Mo 3d光谱中Mo²⁺和Mo⁴⁺价态表明电子结构被调节,Mo²⁺含量在异质结构中更高(33.9% vs 24%),促进了电荷转移。
Fig. 3 (a) CP(上)和Mo₂C/MoS₂-CP(下)的接触角测试;(b) 数字图像显示氢气泡行为;(c) 氢气泡尺寸分布。
分析结果: 接触角测试显示Mo₂C/MoS₂-CP具有更好的亲水性(接触角47.6°并在3秒内降至0°),而CP保持高接触角。在高电流密度下,Mo₂C/MoS₂-CP表面氢气泡更小(0.1-0.2 mm),易于脱附,而CP表面气泡更大(0.2-0.8 mm),覆盖活性位点。这表明异质结构工程改善了表面性质,加速了质量转移。
Fig. 4 (a) 1M KOH中的LSV曲线;(b) Tafel曲线;(c) Cdl值;(d) Nyquist图;(e) Mo₂C/MoS₂-CP在10 mA cm⁻²下的计时安培曲线。
分析结果: LSV曲线显示Mo₂C/MoS₂-CP具有最低的过电位(191.4 mV at 10 mA cm⁻²)和Tafel斜率(64.5 mV dec⁻¹),表明快速HER动力学。Cdl值最大(2.61 mF cm⁻²),表明更多活性位点。Nyquist图显示最小电荷转移电阻(1.2 Ω),证实快速电荷转移。计时安培测试显示100小时稳定性,仅初始过电位略有增加。