Ultrafast self-heating synthesis of robust heterogeneous nanocarbides for high current density hydrogen evolution reaction

超快自加热合成稳健异质纳米碳化物用于高电流密度析氢反应

Chenyu Li 1,5, Zhijie Wang 2,5, Mingda Liu 1,5, Enze Wang 1, Bolun Wang 1, Longlong Xu 1, Kaili Jiang 3, Shoushan Fan 3, Yinghui Sun 4🗄, Jia Li 2🗄 & Kai Liu 1🗄

DOI: 10.1038/s41467-022-31077-x | Nature Communications | 2022

PDF原文

论文亮点

研究背景

研究方法

自加热合成方法:

  1. 以碳纳米管(CNT)薄膜作为加热源和基质
  2. 通过浸涂法将钼酸铵(金属源)以及葡萄糖和尿素(碳源)的前驱体负载到CNT薄膜上
  3. 在60°C空气中干燥10分钟
  4. 在10% H2和90% Ar的混合气氛中进行自加热合成,前驱体在快速焦耳加热的CNT薄膜上原位反应
  5. 整个加热和冷却过程在数百毫秒内完成,加热至约1770 K仅需256 ms,冷却至600 K需330 ms

表征方法:

主要结论

图1: 超快自加热合成方法

图1 超快自加热合成
图1. (a) 自加热方法合成Mo2C/MoC/CNT薄膜的示意图;(b) 作为HER电极的Mo2C/MoC/CNT薄膜;(c) 自加热过程中加热(左)和冷却(右)过程的温度-时间曲线;(d) 高温下CNT薄膜的光学图片;(e) 通过COMSOL Multi-Physics软件模拟的大尺寸薄膜在约1700 K的温度分布

分析结果:

自加热方法能够在极短时间内(约256 ms)将CNT薄膜加热至1770 K的高温,并快速冷却(约330 ms)。这种方法实现了Mo2C/MoC纳米颗粒在CNT基质上的均匀分散和强化学键合,为高性能HER催化剂提供了理想的微观结构。

图2: 合成Mo2C/MoC/CNT薄膜的结构表征

图2 结构表征
图2. (a) Mo2C/MoC/CNT薄膜、Mo2C粉末、MoC/CNT薄膜和CNT薄膜的拉曼光谱;(b) Mo2C/MoC/CNT薄膜的XRD图谱;(c) 不同加热时间下合成的Mo2C/MoC/CNT薄膜的XRD光谱;(d) MoC粉末(上)、Mo2C/MoC/CNT薄膜(中)和Mo2C粉末(下)中Mo 3d的XPS光谱;(e) Mo2C/MoC/CNT薄膜中C1s的XPS光谱;(f) Mo2C/MoC/CNT薄膜在空气中的TG分析

分析结果:

结构表征证实了Mo2C和MoC两相的成功合成及其在CNT基质上的均匀分布。XPS分析显示Mo2C和MoC之间存在电子转移,表明形成了强相互作用的异质结构。TG分析估计薄膜中Mo2C、MoC和CNT的重量百分比分别为15.4%、22.8%和61.8%。

图3: Mo2C/MoC/CNT薄膜的电子显微表征

图3 电子显微表征
图3. (a,b) Mo2C/MoC/CNT薄膜的SEM图像;(c) Mo2C/MoC/CNT薄膜的TEM图像;(d) Mo2C/MoC/CNT薄膜中Mo2C (100)和MoC (111)之间界面的HRTEM图像;(e) Mo2C/MoC的HAADF-STEM图像;(f) Mo2C/MoC/CNT薄膜的SAED图案;(g) EDS映射显示Mo和C元素的分布

分析结果:

电子显微分析显示催化剂颗粒均匀分散在CNT薄膜表面,无明显团聚。HRTEM图像清晰展示了Mo2C (100)和MoC (111)之间的异质界面,晶面间距分别为0.260 nm和0.246 nm。HAADF-STEM和SAED结果进一步证实了Mo2C和MoC两相的存在及其与CNT的复合结构。

图4: Mo2C/MoC/CNT薄膜的电催化HER性能

图4 电催化性能
图4. (a) 在1M KOH中,Mo2C/MoC/CNT薄膜、MoC/CNT薄膜、MoC/CNT薄膜、纯CNT薄膜和Pt/C (20 wt% Pt)的极化曲线;(b) 在高电流密度下保持活性的HER催化剂的过电位与生产率比较;(c) 仅使用CNT作为碳源的自加热样品的XRD图谱;(d) 原始Mo2C/MoC/CNT薄膜和工作10000次CV循环后的极化曲线;(e) 自加热和炉加热样品在500或1000 mA cm-2下的长期测试

分析结果:

电化学测试表明,Mo2C/MoC/CNT催化剂在10、500、1000和1500 mA cm-2的电流密度下分别仅需82、201、233和255 mV的过电位。与Pt/C相比,在超过450 mA cm-2的电流密度下表现更优。长期稳定性测试显示,在1000 mA cm-2下工作14天后,过电位仅增加47 mV,表现出卓越的稳定性。

图5: DFT计算

图5 DFT计算
图5. (a) 氢在Mo2C (100)、MoC (111)表面和Mo2C (100)/MoC (111)异质结构上的吸附结构;(b) Mo2C (100)、MoC (111)和Mo2C (100)/MoC (111)异质结构上不同吸附位点的HER自由能图;(c) 石墨烯/Mo2C (001)和石墨烯/MoC (111)异质结构的电荷密度差异

分析结果:

DFT计算揭示了Mo2C/MoC异质界面具有优异HER活性的机制。计算表明,Mo2C/MoC异质结构上的氢吸附自由能(ΔGH* = 0.02 eV)接近理想值(0 eV),远优于单一的Mo2C或MoC相。电荷密度分析显示Mo2C/MoC与石墨烯(模拟CNT)之间存在强耦合作用,结合能为-62.11 meV/Å2,比双层石墨烯的结合能大三倍,这解释了催化剂卓越稳定性的来源。