通过模板法,将甲基橙粉末溶解后,添加FeCl₃,然后在冰水浴中引入吡咯,形成黑色沉淀,洗涤干燥后得到聚合物纳米管(PNT)。
使用Flash Joule Heating技术,在氩气环境中对PNT进行热冲击,温度范围从700°C到2800°C,得到不同处理的PNT-X(X表示温度)。
将10 wt%的PNT-X与聚二甲基硅氧烷(PDMS)混合,铸造成薄膜,热固化后得到PNT-X@PDMS复合材料。
使用SEM、XRD、Raman、TGA、XPS等手段对材料形貌、结构、组成进行表征,并测试电磁波吸收性能和热导率。
Fig. 1. (a) PNT-X制备示意图。(b) PNT, (c) PNT-700, (d) PNT-1000, (e) PNT-1500, (f) PNT-2000, (g) PNT-2200, (h) PNT-2400, (i) PNT-2600, 和 (j) PNT-2800的SEM图像。
内容: Fig. 1 (a) 展示了PNT-X的制备示意图。(b-j) 显示了PNT和在不同温度下处理的PNT-X的SEM图像。PNT为管状结构,直径约300 nm。随着处理温度升高,形貌逐渐变化,从空心管状结构转变为片状结构,特别是在2800°C时结构被破坏。
分析结果: 形貌演变表明,随着焦耳加热温度升高,非晶碳逐渐重组为石墨碳,这通过XRD和Raman进一步证实。高温下管状结构破坏,表明石墨化过程伴随结构变化。
Fig. 2. (a) XRD图谱, (b) Lₐ, L꜀和d₀₀₂参数, (c) Raman光谱, (d) Iᴅ/Iɢ比值, (e) TGA曲线, 和 (f) 电导率。
内容: Fig. 2 (a) XRD图谱显示PNT为高度非晶结构,随着温度升高,出现石墨(002)峰,结晶度提高。(b) Lₐ, L꜀, d₀₀₂参数变化,表明石墨化程度增加。(c) Raman光谱显示D和G band,Iᴅ/Iɢ比值降低,表示结构有序性改善。(d) Iᴅ/Iɢ值随温度变化。(e) TGA显示碳含量随温度升高而增加。(f) 电导率测量,显示电导率随温度升高而增加。
分析结果: XRD和Raman结果证实焦耳加热促进了PNT的石墨化。电导率增加与晶粒尺寸增大相关,有助于电子传输。TGA表明高温下碳化更完全。
Fig. 3. (a₁) PNT-700, (b₁) PNT-1500, (c₁) PNT-2000和(d₁) PNT-2400的XPS光谱; 详细的C 1s光谱 (a₂-d₂); 详细的N 1s光谱 (a₃-d₃)。
内容: Fig. 3 显示了PNT-700、PNT-1500、PNT-2000和PNT-2400的XPS光谱。(a₁-d₁) 全谱显示元素组成变化,N含量随温度升高而减少。(a₂-d₂) C 1s光谱,显示C=C键强度增加,表示石墨碳含量增加。(a₃-d₃) N 1s光谱,显示吡咯N减少,石墨N增加,高温下N消失。
分析结果: XPS分析表明,随着处理温度升高,氮杂原子被去除,材料逐渐石墨化。C=C键增强和N含量减少证实了非晶碳向石墨碳的转变,这有助于电荷传输。
Fig. 4. (a₁-a₃) PNT和(b₁-b₃) PNT-1000的吸收器的RL值。
内容: Fig. 4 (a₁-a₃) 显示未处理的PNT的吸收性能,反射损失约-18.8 dB。(b₁-b₃) 显示PNT-1000的吸收性能显著改善,最小反射损失达-45.1 dB,有效吸收带宽为3.46 GHz(厚度1.5 mm)。
分析结果: PNT-1000表现出优异的电磁波吸收性能,优于许多文献报道的复合材料。其宽频带吸收能力使其在C到Ku波段有应用潜力。
Fig. 5. (a) ε′, (b) ε″, (c) μ′, (d) μ″. (e₁) PNT和(e₂) PNT-1000的Cole-Cole曲线. (f) EWA机制。
内容: Fig. 5 (a-d) 显示PNT和PNT-1000的复介电常数和复磁导率。(e₁-e₂) Cole-Cole曲线,显示多个半圆,表示极化弛豫过程。(f) EWA机制示意图,包括多重反射和散射、电子迁移和转变、偶极极化。
分析结果: PNT-1000的介电常数更高,表明更好的