DOI: 待添加 | 期刊: 待发表 | 年份: 2024
本研究采用脉冲放电方法制备Cu-N1O1单原子催化剂,具体步骤如下:
图1: a) 脉冲放电制备策略示意图;b) SEM图像;c) TEM图像;d) EDS图像;e) HAADF-STEM图像;f) 放大图像;g) 强度分布
Figure 1展示了通过脉冲放电方法制备CuN1O1 SAs/GAs的过程及其形貌表征。a) 为制备策略示意图,显示脉冲放电如何分解硝酸铜并将Cu原子锚定在石墨烯上;b) SEM图像显示3D多孔气凝胶结构在放电后保持完整;c) TEM图像清晰显示石墨烯的皱褶结构;d) EDS mapping显示C、O、N和Cu元素均匀分散;e) HAADF-STEM图像显示大量孤立亮點(Cu单原子)均匀分布在rGO表面;f) 放大图像进一步确认Cu单原子存在;g) 强度分布显示Cu原子之间的典型距离约为0.56 nm。
表征结果表明,脉冲放电方法成功实现了Cu单原子在石墨烯上的均匀分散,无Cu纳米颗粒形成,证实了该方法的有效性。EDS mapping显示N和Cu成功掺杂到GAs中,HAADF-STEM图像直接证实了Cu单原子的存在,距离测量表明无聚集现象。当使用CuCl2作为前体时,会形成Cu纳米颗粒,说明硝酸根在锚定和稳定孤立Cu原子中起关键作用。
图2: a) C K-edge XANES光谱;b) Cu L-edge光谱;c) Cu K-edge XANES光谱;d) FT EXAFS光谱;e) WT-EXAFS图;f) EXAFS拟合曲线;g) 实验和计算XANES路径;h) 原子结构模型
Figure 2通过XAFS技术分析了CuN1O1 SAs/GAs的化学状态和原子结构。a) C K-edge XANES光谱显示rGO的还原状态;b) Cu L-edge光谱显示Cu的价态;c) Cu K-edge XANES光谱与参考样品对比;d) FT EXAFS光谱显示配位环境;e) WT-EXAFS图区分背散射原子;f) EXAFS拟合曲线;g) 实验和计算XANES路径比较;h) 提出的原子结构模型。
XAFS结果表明,Cu在CuN1O1 SAs/GAs中的价态约为Cu2+,配位数为2(一个N原子和一个O原子),键长分别为1.94 Å和1.98 Å。EXAFS光谱在1.47 Å处的峰介于Cu-O和Cu-N路径之间,确认了Cu与N和O的共配位。WT-EXAFS显示无Cu-Cu配位,证实了Cu的单原子分散。计算和实验XANES高度一致,支持了不对称Cu-N1O1配位结构的存在,这种结构主要由瞬态脉冲电流的冲击效应保持。
图3: a) LSV曲线;b) HCOO-生产的法拉第效率;c) 不同电位下的电流密度;d) 不同产品的FE;e) 长期稳定性测试;f) 流动池结构图;g) 流动池LSV曲线;h) HCOO-生产的法拉第效率
Figure 3评估了CuN1O1 SAs/GAs在CO2RR中的性能。a) LSV曲线显示CuN1O1 SAs/GAs的电流密度高于CuN4 SAs/GAs;b) 法拉第效率在-0.9 V时达到93.7%;c) 甲酸生产的电流密度;d) 不同产品的FE分布;e) 长期稳定性测试(10小时);f) 流动池结构示意图;g) 流动池中的LSV曲线;h) 流动池中HCOO-生产的法拉第效率。
电化学测试表明,CuN1O1 SAs/GAs在CO2RR中具有优异的性能,甲酸法拉第效率高达93.7%,远高于CuN4 SAs/GAs(75.5%)。电流密度达-18 mA cm-2,且在不同电位下保持高选择性(FE >88%)。Tafel斜率较低,表明更快的电子动力学。长期稳定性测试显示,在10小时内保持86%以上的FE和稳定电流密度。流动池测试在工业电流下仍保持高性能(FEHCOO-达92.5%),优于文献报道的大多数催化剂。
图4: a) 不同电位下的Cu K-edge XANES光谱;b) 一阶导数XANES曲线;c) 平均键合状态;d) FT-EXAFS光谱;e) 键长和配位数变化