第一作者: Tong Chen (陈彤) - 浙江大学
通讯作者: Pei Li (李沛), Chen Sun (孙辰) - 浙江大学
本研究采用脉冲焦耳加热(PJH)技术处理HCBD污染的蒸馏残渣:
图1: HCBD污染蒸馏残渣升级回收为tPG用于电磁波吸收的过程示意图
脉冲焦耳加热技术对HCBD污染蒸馏残渣的解毒效果显著:
图2: HCBD污染蒸馏残渣的解毒效果。(a)实验装置和过程示意图;(b)加热过程中样品的数码照片;(c)PJH反应过程中的温度曲线;(d)原始和处理后DR的GC-MS谱图;(e)脉冲时间对HCBD降解效率的影响;(f)不同脉冲持续时间下PJH的能耗和效能;(g)不同方法处理高氯化污染固体的降解效果比较
分析结果:GC-MS分析显示,原始蒸馏残渣含有多种高浓度氯化污染物,其中HCBD峰面积最高。经过10秒脉冲焦耳加热处理后,所有氯化污染物峰均消失,表明PJH对DR具有出色的解毒性能。随着放电时间从1秒延长到10秒,HCBD的去除率从17.3%提高到99.1%。从经济角度考虑,5秒放电时间的HCBD降解量(毫克)与能耗(千焦)比达到最高(187.3mg/kJ)。
通过多种表征手段对脉冲焦耳加热产物进行了详细分析:
图3: 蒸馏残渣衍生的tPG表征。(a)tPG-10s的拉曼光谱;(b)放电时间对拉曼光谱中I_D/I_G比和I_2D/I_G比的影响;(c)蒸馏残渣和tPG在空气气氛下的TGA曲线;(d)XRD图谱;(e)XPS全谱;(f)蒸馏残渣和tPG-10s的C1s高分辨率XPS谱;(g)N_2吸附-脱附等温线;(h)tPG-10s的孔径分布;(i)tPG-10s浓度与商业石墨烯的UV-vis分散图比较
分析结果:拉曼光谱显示tPG-10s具有低缺陷密度(I_D/I_G=0.075)和最小的层间光学耦合(I_2D/I_G=2.12)。XRD分析表明成功实现了DR的石墨化,平均晶格间距为0.35nm,大于AB堆叠石墨烯(0.335nm)。XPS分析证实PJH过程显著减少了杂原子含量,表面碳含量从89.76%增加到96.44%,表面氯含量从~4.43%降至接近零。BET分析显示tPG-10s具有172.7m²/g的比表面积和0.14cm³/g的累计孔体积,呈现介孔结构。
图4: DR和tPG-10s的形貌。(a-d)DR的SEM-EDS mapping;(e-f)tPG的SEM-EDS mapping;(i-k)tPG-10s的TEM图像;(l)通过TEM图像分析技术获得的Feret直径横向尺寸分布
分析结果:SEM-EDS mapping显示,蒸馏残渣呈现光滑规则的方形形状,而tPG显示折叠、堆叠和高度结晶的片状形态。反应前后粒径变化最小,平均横向尺寸约为4μm。EDS和元素 mapping分析表明,PJH反应后表面碳比例从55.0%显著增加到84.1%,而杂质元素氯和氧的比例分别从26.9%和18.1%下降到4.0%和11.9%。TEM图像显示tPG-10s具有均匀的石墨烯纳米片,二维(2D)和少层结构明显,晶格间距估计为0.350nm,与XRD图谱中的(002)峰位置一致。tPG纳米片的估计平均横向尺寸约为38.56nm,标准偏差为9.90nm。
图5: (a-b)tPG的复介电常数实部(ε')和虚部(ε'');(c)介电损耗角正切(tanδ_ε);(d)负载30wt%tPG的衰减常数;(e-f)负载30wt%和35wt%的阻抗-f曲线
图6: (a)不同厚度下的RL-f曲线;(b)三维RL-f曲线和(c)其对应的2D等高线图(负载30wt%tPG);(d)不同厚度下的RL-f曲线;(e)三维RL-f曲线和(f)其对应的2D等高线图(负载35wt%tPG);(g)与已报道的碳基纳米材料作为EMW吸收材料的EMW吸收性能比较;(h)tPG吸收剂的EMW吸收机制示意图
分析结果:tPG表现出卓越的电磁波吸收性能。对于负载30wt%tPG的样品,在所有给定厚度下均可实现-10dB(90%电磁波吸收)的有效吸收。最大有效吸收带宽(EAB_max)达到3.9GHz(12.8-16.7GHz),几乎覆盖整个Ku波段(12-18GHz)。在样品厚度为1.6mm时,最小反射损耗(RL_min)可低至-42.0dB(99.994%波吸收),对应频率位置为14.48GHz。与最近报道的石墨烯基EMW吸收材料相比,tPG复合材料在反射损耗和厚度方面均表现出优越性,表明其作为先进EMW吸收材料具有广阔的应用潜力。