Chang-Hyun Cho a, b,1, Won Ung Jeong a,1, Jae Seok Jeong a, Chang-Ha Lim b, Jae-Kook Yoon b, Chris Yeajoon Bon b, Kap-Seung Yang b, *, Min-Sik Park a, *
a 庆熙大学信息与电子先进材料工程系,韩国龙仁市
b Deca Material Inc. 可充电电池复合材料研发中心,韩国全罗北道
* 通讯作者: ksyang@decamaterial.com (K.-S. Yang), mspark@khu.ac.kr (M.-S. Park)
DOI: 待补充 | 期刊名称: 待补充 | 发表年份: 2024
图1. (a) p-Si@C复合材料的微波诱导碳热冲击合成过程示意图;(b-c) 不同放大倍数的FESEM图像;(d) p-Si@C复合材料的截面FESEM图像
通过微波辅助碳热冲击方法成功制备了p-Si@C复合材料,FESEM图像显示复合材料呈球形形态(约20μm),n-Si颗粒(约100nm)成功嵌入并均匀分散在无定形碳基质中。截面图像证实了复合材料内部形成了丰富的孔隙结构(约7.7nm),这些孔隙来源于co-PAN在微波辅助碳热冲击下的热分解。
图2. (a) p-Si@C复合材料的明场TEM图像;(b) HRTEM图像;(c) n-Si颗粒的晶格间距测量;(d) 暗场TEM图像及硅(洋红色)和碳(黄色)的EDS元素分布
TEM观察进一步证实了n-Si颗粒成功嵌入由co-PAN衍生的多孔碳基质中。高分辨率TEM显示结晶n-Si颗粒(约50nm)被无定形碳相包裹,n-Si颗粒显示出d-间距为0.31nm的晶格结构,对应于晶体Si中(111)面的晶面间距。EDS元素分布支持了p-Si@C复合材料中Si和C的成分排列。
图3. (a) n-Si@C和p-Si@C复合材料的XRD图谱;(b) 拉曼光谱;(c) Si 2p XPS谱图;(d) 不同施加压力下的电导率;(e) O₂气氛下的TGA曲线;(f) N₂吸附-脱附等温线
XRD分析显示p-Si@C复合材料除了晶体Si的典型衍射峰外,还在2θ = 35.7°, 41.5°, 60.1°和72.0°处有额外峰,对应晶体β-SiC相。拉曼光谱表明p-Si@C复合材料具有更高的I_D/I_G强度比(1.25),表明微波辅助碳热冲击导致多孔碳基质结晶度更高。XPS分析证实了Si-C化学键的存在。p-Si@C复合材料表现出更高的电导率(380.7 S cm⁻¹)和更大的比表面积(49.8 m² g⁻¹)。
图4. n-Si@C-G和p-Si@C-G半电池的电化学性能:(a) 0.05C充电电流密度下的恒电位电压曲线;(b) 首次循环的微分电压(dQ/dV)曲线;(c) 不同倍率下的倍率性能比较;(d) 0.5C充放电200次循环的性能;(e) 开路电压下的Nyquist图;(f) 50%充电状态下的Nyquist图
p-Si@C-G负极表现出优异的倍率性能,在6C倍率下仍保持0.2C时容量的77.4%。混合p-Si@C-G负极在100次循环后容量保持率达84.3%,并在200次循环中保持稳定的循环性能。Nyquist图显示p-Si@C负极具有较小的接触电阻(R_b)和电荷转移电阻(R_ct),这归因于其多孔结构提供的更大电化学活性表面积。
图5. 循环100次后(a) n-Si@C-G和(b) p-Si@C-G负极的顶视FESEM图像;(c) n-Si@C-G和(d) p-Si@C-G负极循环100次后的XPS C 1s谱图
循环后分析显示,n-Si@C-G负极表面因n-Si颗粒破碎而变得粗糙,这种结构退化减少了颗粒接触并导致导电性损失。相比之下,p-Si@C-G负极在100次循环后仍保持相对清洁的表面。XPS分析表明,p-Si@C-G负极具有相对较低的SEI层比例,因为多孔碳基质包裹了n-Si颗粒,防止它们直接暴露于电解质中。
图6. n-Si@C-G和p-Si@C-G全电池的电化学性能(面积容量2.2 mAh cm⁻²):(a) 2.5-4.2V电压范围内选定循环的恒电位电压曲线;(b) 首次循环的比容量和库仑效率比较;(c) 0.5C充放电300次循环的性能;(d) n-Si@C-G和(e) p-Si@C-G全电池循环100次后的截面FESEM图像
全电池测试表明,p-Si@C-G全电池实现了约80.3%的容量保持率,即使经过300次循环也没有明显的容量损失。尺寸稳定性分析显示,n-Si@C-G负极厚度增加至73.1μm(膨胀91%),而p-Si@C-G负极循环后仍保持64.7μm的厚度。p-Si@C复合材料中的n-Si颗粒仍然被多孔碳基质包裹而没有破碎,表明多孔结构通过适应体积变化有效增强了尺寸稳定性。