第一作者: Yi Cheng, Jinhang Chen, Bing Deng (Rice University)
通讯作者: James M. Tour (tour@rice.edu), Yufeng Zhao (YZhao@corban.edu)
DOI: 待添加 | 期刊名称: 待添加 | 发表年份: 2023
详细研究方法:
图1: 通过闪速碳热还原升级回收FRP到碳化硅
内容: 图1a展示了FCR过程的示意图,包括废物GFRP和CFRP的研磨(步骤1)和在石英管中的闪速反应(步骤2)。图1b和1c显示了在150V输入电压下的电流和温度曲线,温度可达2900°C。图1d展示了不同碳/SiO₂比率下Gibbs自由能变化与温度的关系。
分析结果: FCR过程通过高温快速反应实现SiO₂的碳热还原,生成SiC和石墨烯。通过优化碳比率和电压,可以控制反应温度,确保完全转化。
图2: 相控合成SiC
内容: 图2a展示了3C-SiC和6H-SiC的晶体结构。图2b显示了Si 2p XPS光谱,表明Si-C键的形成。图2c是纯化后SiC的XRD图谱,显示高相纯度。图2d是Raman光谱,显示特征峰。图2e是UV-Vis光谱,显示带隙差异。图2f-k是HRTEM和SAED图像,显示原子排列和晶格条纹。
分析结果: 通过调节闪速参数,可以选择性合成不同相的SiC,且产物具有高纯度和均匀的元素分布。3C-SiC具有较小的带隙(2.45 eV),而6H-SiC带隙较大(2.86 eV)。
图3: SiC相变机制
内容: 图3a和3b显示了输入电压和闪速次数对SiC相比例的影响。图3c是EPR光谱,显示Si空位的存在。图3d是硅和碳的温度-蒸气压关系。图3e和3f是DFT计算,显示Si空位含量对形成能的影响。
分析结果: 较高的反应温度和较长的反应时间促进从3C-SiC到6H-SiC的相变。Si空位的增加是相变的主导因素,DFT计算证实了这一点。
图4: SiC阳极的相依赖LIB性能
内容: 图4a和4b显示了3C-SiC和6H-SiC阳极在不同循环下的充放电曲线。图4c是循环稳定性,图4d是倍率性能。图4e和4f是CV曲线,图4g是EIS图谱,图4h是Li⁺扩散系数,图4i是全电池性能。
分析结果: 3C-SiC阳极具有更高的容量、更好的倍率性能和较低的电荷转移电阻,归因于其较高的Li⁺扩散系数。全电池测试显示良好的循环稳定性。
图5: FRP回收的生命周期评估
内容: 图5a展示了溶剂分解、焚烧和FCR过程的材料流分析。图5b是综合比较,图5c是累积能源需求,图5d是累积温室气体排放,图5e是技术经济比较。
分析结果: FCR过程在能源消耗、温室气体排放和水消耗方面均显著低于其他方法,且成本极低,显示出其经济和环境优势。