本研究采用闪速焦耳加热(FJH)技术,具体方法如下:
Figure 1展示了通过FJH过程碳材料的相演化过程。(a)部分为FJH实验装置示意图,显示了如何通过电容器放电对前驱体进行快速加热。
(b-e)部分的高分辨率TEM图像清晰展示了在不同闪光阶段形成的特定碳相:氟化无定形碳(FAC)、氟化纳米金刚石(FNDs)、氟化闪速石墨烯(FFG)和氟化同心碳(FCC)产物。
分析结果表明,通过精确控制闪光条件,可以实现从无定形碳到纳米金刚石、再到石墨烯和同心碳的可控相演化,证实了FJH技术在碳材料合成中的精确控制能力。
Figure 2提供了相演化不同阶段碳材料的详细显微分析。(a)展示了FAC的HR-TEM图像,插图中的快速傅里叶变换(FFT)显示模糊环,证实了其无定形特征。
(b-d)部分展示了FNDs的详细结构,显示出0.21nm和0.18nm的面间距,分别对应金刚石立方的{111}和{200}晶面。(e)部分显示了FFG的TEM图像,FFT显示多个 distinct Bragg点,证实了其涡轮层特征。
(f)部分展示了高结晶度FCC的多面体结构,其FFT图像显示弧段和明显的Bragg点。(g-i)部分提供了FND尺寸统计和层间距测量数据,为定量分析提供了依据。
分析结果表明,不同碳同素异形体具有明显的结构差异,FJH过程能够产生具有明确晶体结构的纳米碳材料。
Figure 3通过拉曼光谱分析了相演化不同阶段的碳材料。(a)展示了FAC、PTFE前驱体、FND、FFG和FCC的拉曼光谱,显示出明显的特征差异。
(b)部分的高分辨率拉曼光谱显示了FFG和FND的特定峰,FND样品在1332和1605cm⁻¹处显示出金刚石特征峰。(c)部分重点展示了涡轮层FFG的TS系列峰(TS₁ at 1887cm⁻¹和TS₂ at 2033cm⁻¹)。
(d,e)部分展示了经过热重分析(TGA)处理后的FND样品的TEM图像,显示出高结晶度和清晰的晶界。
分析结果表明,拉曼光谱是区分不同碳同素异形体的有效工具,氟化处理显著改变了碳材料的电子态和声子模式。
Figure 4通过X射线光电子能谱(XPS)分析了不同碳同素异形体的元素含量和化学键信息。(a)部分的survey光谱显示样品中只存在C和F元素,排除了其他元素的干扰。
(b)部分的高分辨率C 1s光谱显示,FND样品中存在C-C键(285.2eV),而FFG样品中存在C=C键(284.8eV),反映了石墨结构。(c)部分的F 1s光谱显示,FFG样品中同时存在半离子C-F键(∼687.1eV)和共价C-F键(∼689.7eV),而FND和PTFE中只存在共价C-F键。
(d)部分的价带XPS光谱显示,FND、FFG和PTFE的带隙分别为5.50、1.78和4.08eV,表明FND具有绝缘特性,而FFG是典型半导体。
分析结果表明,氟化处理引入了不同的化学键类型,显著改变了碳材料的电子结构和性能。
Figure 5系统研究了闪光时间对碳材料相演化的影响。(a,d,g,j)部分记录了不同闪光时间(10,35,100,500ms)通过碳源的电流变化。
(b,e,h,k)部分展示了相应阶段的HR-TEM图像:10ms时只存在FAC;35ms时开始形成小尺寸FNDs;100ms时ND尺寸继续增大;500ms时形成FCC结构。
(c,f,i,l)部分提供了相应HR-TEM图像的FFT分析,显示了从无定形特征到晶体特征的转变。
分析结果表明,闪光时间直接决定了输入系统的总电热能量,从而控制反应过程和最终产物。较短的闪光时间产生无定形碳,中等时间形成纳米金刚石,较长时间则促进石墨化和同心碳形成。
Figure 6提出了氟化闪速纳米碳相演化的机制。(a-c)部分示意图展示了FJH过程不同阶段形成的闪光产物混合物:(a)低能量输入时,氟聚合物和FAC的组合;(b)增加能量输入时,FND形成,部分FAC转化为FFG;(c)进一步添加能量时,FND转化为FCC,更多FAC转化为FFG。
(d)部分示意图展示了单个粒子从PTFE形成FND并随后转化为多面体FCC的 proposed 机制。从FND到FCC的转化从FND表面开始,并向粒子中心推进。
分析结果表明,氟在FND形成和稳定中起关键作用,C-F键的断裂和C-C键的形成是相演化的关键步骤。较长的闪光时间促进了FND颗粒的表面石墨化,最终形成高度石墨化的FCC结构。